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以鐵電隨機存取記憶體(FeRAM)取代靜態隨機存取記憶體(SRAM)?

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发表于 2019-4-5 21:00:23 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 yjwu 于 2019-4-5 21:42 编辑 6 V4 ~1 e  S* u* u+ }+ c1 e
8 P" V2 t& i3 `* z9 R- w$ }1 {
STUDER A810, A820, A812, A816, A807都用微處理器控制走帶及錄放音。其中A810, A820, A812, A816用微量耗電的靜態隨機存取記憶體(SRAM)儲存錄放音參數; 第一代的A810使用容易漏電解液的鎳鎘可充電電池, 年代久遠後往往造成IC插座堆積固態電解質, 不正常短路, 甚至電路板毀損。鎳鎘電池充放電失效使靜態隨機存取記憶體失去維持記憶的電源, 錄放音參數回歸出廠時的預設值, 無法發揮最佳錄放音水準。8 m, d( s6 K: ?6 C' `3 R
A820以不可充電的鋰電池取代鎳鎘電池, 解決了電池漏液的重大缺失, 但仍存在對電池失效錄放音參數遺失的問題。
, h) Z3 ?. _0 z% H/ ]/ @" J# P  s近年無需電池維持記憶的鐵電隨機存取記憶體(FeRAM)問世, 大量使用靜態隨機存取記憶體(SRAM)的STUDER開盤機似乎有了很好的替代方案。- \3 M0 D  H: }5 _7 ^

8 n# s: A# l' J! |1 T查了一下Mouser零件目錄, 2kX8, 8kX8的FeRAM都有, 只是平行阜28針的只有Cypress的FM16W08一種, 可取代A820 master MP-unit使用的8kX8 SRAM 6264. % B  G' w8 \+ b. V4 K
1 [3 }. @( c* W& ?& C* z
A810 MP-unit 及A820 MP-unit TD control 使用2kX8的6116; 其中A820 MP-unit TD control 上的SRAM無需保存數據.若用8kX8的FeRAM FM16W08取代A810 MP-unit的6116 , 腳位需調整。
$ h8 H0 ~3 e/ @
! H8 M# j$ s5 O) l另外8kX8的FeRAM FM16W08 使用SOIC封裝, 6116/6264都是DIP 穿孔封裝。
1 q1 u! ^- K% \1 V% I. p" ?  k/ x3 l. o! X" P' J1 \# y
簡單的轉換板有兩種版本:一種將貼片元件FM16W08轉成24針2kX8 6116, 另一種轉成28針8kX8 6264.. K8 K; R( b* B) w" s7 L0 D
有志願者願意完成轉換電路板這最後一里路嗎?
% S- s8 l) l& _. ~1 D, l, B5 J
MSM5128-15RS_6116_2kX8_SRAM_Pinout.PNG
Cypress_FM16W08_8kX8_SRAM_Pinout.PNG
FCB61C65_8kX8_SRAM_Pinout.PNG

HM6116_2kX8.pdf

223.67 KB, 下载次数: 2

001-86210_FM16W08_64-Kbit_8_K_8_Wide_Voltage_Bytewide_F-RAM_Memory_Datasheet.pdf

320.39 KB, 下载次数: 2

FCB61C65L.pdf

789.57 KB, 下载次数: 0

发表于 2019-4-6 00:22:07 | 显示全部楼层
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