赶快注册并登录访问我们网站,呈现更多精彩内容!
您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册加入
x
半导体是现代电子业的基础,业包括我们热爱的音响业。下面详细展示了Intel从沙子到芯片的全过程,满足你的好奇心。
" B2 Q, j- v4 T* D不知道发到这个版块是否合适,不合适的话请版主迁移~~{:soso_e181:}1 X, q% ]2 h' A8 a$ f* l3 f; i7 W
* L* c% ?" |9 C" G P+ Y- U4 V
简单地说,处理器的制造过程可以大致分为沙子原料(石英)、硅锭、晶圆、光刻(平版印刷)、蚀刻、离子注入、金属沉积、金属层、互连、晶圆测试与切割、核心封装、等级测试、包装上市等诸多步骤,而且每一步里边又包含更多细致的过程。. M! p! y: Y' E
5 C. m5 y2 V7 Z0 w" E! {
下边就图文结合,一步一步看看主要的过程:7 g# U% A* S. ^7 n
' [1 L$ t# k+ r2 C$ q沙子:硅是地壳内第二丰富的元素,而脱氧后的沙子(尤其是石英)最多包含25%的硅元素,以二氧化硅(SiO2)的形式存在,这也是半导体制造产业的基础。: W- @* m6 U6 p
8 F: m6 [4 b/ I7 w) A0 x1 P
, e. g. w( L) Z/ {
* e0 j" ]1 C( B J硅熔炼:12英寸/300毫米晶圆级,下同。通过多步净化得到可用于半导体制造质量的硅,学名电子级硅(EGS),平均每一百万个硅原子中最多只有一个杂质原子。此图展示了是如何通过硅净化熔炼得到大晶体的,最后得到的就是硅锭(Ingot)。' V/ v' y! ?# w' e9 f5 p n8 ~( b9 D) g
9 W% q; M4 Z9 \4 X
( g3 j: F, o' B7 w% `: ~& Z5 a1 }4 a4 X2 m
单晶硅锭:整体基本呈圆柱形,重约100千克,硅纯度99.9999%。9 C7 _; L% O; u) L) B7 X
3 \7 D- G6 [2 u" b8 v0 T; ]* G+ k ^7 W
$ i7 o( O6 P1 S1 {, A9 q% I' N
硅锭切割:横向切割成圆形的单个硅片,也就是我们常说的晶圆(Wafer)。顺便说,这下知道为什么晶圆都是圆形的了吧?
8 a4 X( U* _7 `+ h, V& G8 D
( a6 `$ t [8 M7 N! q# s' _3 i4 N4 _& K/ u
晶圆:切割出的晶圆经过抛光后变得几乎完美无瑕,表面甚至可以当镜子。事实上,Intel自己并不生产这种晶圆,而是从第三方半导体企业那里直接购买成品,然后利用自己的生产线进一步加工,比如现在主流的45nm HKMG(高K金属栅极)。值得一提的是,Intel公司创立之初使用的晶圆尺寸只有2英寸/50毫米。
% j" y: ^; x+ b
5 f# z# Y3 u" c% B% T3 p" K( v1 ]! l4 p2 E Q9 M/ M& L
) Q; d' x/ y( V2 ~光刻胶(Photo Resist):图中蓝色部分就是在晶圆旋转过程中浇上去的光刻胶液体,类似制作传统胶片的那种。晶圆旋转可以让光刻胶铺的非常薄、非常平。/ U7 k4 w0 @4 \$ C5 ?! n! f
1 C! s# I* O- Z4 _: V6 A1 \
+ b: P' \7 P1 y光刻一:光刻胶层随后透过掩模(Mask)被曝光在紫外线(UV)之下,变得可溶,期间发生的化学反应类似按下机械相机快门那一刻胶片的变化。掩模上印着预先设计好的电路图案,紫外线透过它照在光刻胶层上,就会形成微处理器的每一层电路图案。一般来说,在晶圆上得到的电路图案是掩模上图案的四分之一。
# p; o3 Y( w }# k
4 t4 y* d/ W. h. ?5 M; T& S
; V+ r! F/ r4 R1 t
U. w# g2 a$ c! [/ t光刻二:由此进入50-200纳米尺寸的晶体管级别。一块晶圆上可以切割出数百个处理器,不过从这里开始把视野缩小到其中一个上,展示如何制作晶体管等部件。晶体管相当于开关,控制着电流的方向。现在的晶体管已经如此之小,一个针头上就能放下大约3000万个。! I K& a# f/ u4 A7 W L. Z, U
0 j& l! V! ^2 [
* C) X4 H! l9 f( Y& P ~! n! w/ V! H( ~2 H' v
溶解光刻胶:光刻过程中曝光在紫外线下的光刻胶被溶解掉,清除后留下的图案和掩模上的一致。# ^( D1 c: C0 ]5 d* n
' I, j0 X: u' n6 q2 z9 l) K% }7 V: F4 `& v. r) l6 b; F
1 c" ~, b s: [! g蚀刻:使用化学物质溶解掉暴露出来的晶圆部分,而剩下的光刻胶保护着不应该蚀刻的部分。& U4 |* D0 a, ]- m# e% g
2 J! ]# ^9 R' [9 l; t& F
8 F% m( u0 ^" t* e
; P: R: g0 \9 ]. r
清除光刻胶:蚀刻完成后,光刻胶的使命宣告完成,全部清除后就可以看到设计好的电路图案。
8 [: S. t: h w8 }( k! `
( a9 c3 U2 V' Q7 e* v7 o
3 D" j1 S9 r. T" G1 s5 s光刻胶:再次浇上光刻胶(蓝色部分),然后光刻,并洗掉曝光的部分,剩下的光刻胶还是用来保护不会离子注入的那部分材料。7 S; ?, ]( a; a
4 `; `8 [/ c' {9 G; |1 a- V; ~$ ~2 F# y% w% t
2 _! i# M& q& I7 P5 {0 F
离子注入(Ion Implantation):在真空系统中,用经过加速的、要掺杂的原子的离子照射(注入)固体材料,从而在被注入的区域形成特殊的注入层,并改变这些区域的硅的导电性。经过电场加速后,注入的离子流的速度可以超过30万千米每小时。8 F. X# j- B" S# M1 ], `* {
, W4 ?2 o- m" N" a7 s3 D( G3 I! {6 T, Y
" W( i0 j+ Z1 ]( B: B8 ~清除光刻胶:离子注入完成后,光刻胶也被清除,而注入区域(绿色部分)也已掺杂,注入了不同的原子。注意这时候的绿色和之前已经有所不同。
! k% \; j+ ?& }5 O E3 T; y
6 u" [2 r: K1 T5 z
, C# Y; y' E6 ^: G* k3 _
晶体管就绪:至此,晶体管已经基本完成。在绝缘材(品红色)上蚀刻出三个孔洞,并填充铜,以便和其它晶体管互连。; {( A' D" ]" ^" I: f+ c
# B t# U- o/ r5 {: ^
' h- V) P6 ^" H$ I( r3 R% H# G. T( P$ h3 z( \7 m
电镀:在晶圆上电镀一层硫酸铜,将铜离子沉淀到晶体管上。铜离子会从正极(阳极)走向负极(阴极)。- J' K- z- g- Z: h# E) B* V
6 K6 j o+ H- M" g- c2 Q+ j3 ^& {( X k
' m; g- _; b+ o8 J9 m
铜层:电镀完成后,铜离子沉积在晶圆表面,形成一个薄薄的铜层。
; R- L( A! a' W
2 i& W- r5 t# [7 O
# D; L3 [: @ l; I( s$ [
0 m0 n7 l% @$ {6 e! O抛光:将多余的铜抛光掉,也就是磨光晶圆表面。4 }& |" Q1 Y$ B* c
, }. N; @2 ]' O S" O1 }, P* h2 C9 v
; u$ M* P& Y) y- [
金属层:晶体管级别,六个晶体管的组合,大约500纳米。在不同晶体管之间形成复合互连金属层,具体布局取决于相应处理器所需要的不同功能性。芯片表面看起来异常平滑,但事实上可能包含20多层复杂的电路,放大之后可以看到极其复杂的电路网络,形如未来派的多层高速公路系统。+ o" X9 w$ ~) J8 f& h
5 B' f; u5 t/ k" |, B" Z/ j& N7 v6 B5 f8 G! M: R$ `0 o# i' X
8 B5 p: l+ c) D/ v
晶圆测试:内核级别,大约10毫米/0.5英寸。图中是晶圆的局部,正在接受第一次功能性测试,使用参考电路图案和每一块芯片进行对比。
% T& q" _& D6 l: j) M0 X \
|