赶快注册并登录访问我们网站,呈现更多精彩内容!
您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册加入
x
半导体是现代电子业的基础,业包括我们热爱的音响业。下面详细展示了Intel从沙子到芯片的全过程,满足你的好奇心。
! i% y4 c9 S: K不知道发到这个版块是否合适,不合适的话请版主迁移~~{:soso_e181:}( q; [' ^8 e, R% @& M! o3 L+ `; V
2 A$ D( [; z$ E) \6 o8 B简单地说,处理器的制造过程可以大致分为沙子原料(石英)、硅锭、晶圆、光刻(平版印刷)、蚀刻、离子注入、金属沉积、金属层、互连、晶圆测试与切割、核心封装、等级测试、包装上市等诸多步骤,而且每一步里边又包含更多细致的过程。9 L: s( |6 K- ]* F$ `9 p, n
% v0 E6 t G+ x
下边就图文结合,一步一步看看主要的过程:
% m+ F5 M' m4 a M5 a t% k* v9 T; g; B2 T0 g3 [/ n
沙子:硅是地壳内第二丰富的元素,而脱氧后的沙子(尤其是石英)最多包含25%的硅元素,以二氧化硅(SiO2)的形式存在,这也是半导体制造产业的基础。
' O8 s) G+ W( h4 x; W! r
" C1 u6 H/ H+ a9 Y# O
+ `" R# c& G( @+ ]6 W j. F8 Q7 }* l/ w9 d( G
硅熔炼:12英寸/300毫米晶圆级,下同。通过多步净化得到可用于半导体制造质量的硅,学名电子级硅(EGS),平均每一百万个硅原子中最多只有一个杂质原子。此图展示了是如何通过硅净化熔炼得到大晶体的,最后得到的就是硅锭(Ingot)。
, B& G* K- `% ^, l
( x3 W* C6 ?: t Y: r3 P9 M1 Q( P K* w% R0 O# o- n; c5 C9 b
, k6 m: x* V. e4 F
单晶硅锭:整体基本呈圆柱形,重约100千克,硅纯度99.9999%。
6 P2 G7 {: Z: e) A/ w1 _; Z
' t$ d6 D2 X# c9 ]' _- T# P
4 {) F' `' p4 ~. M
$ [ u3 D) k3 h( ?9 R- S硅锭切割:横向切割成圆形的单个硅片,也就是我们常说的晶圆(Wafer)。顺便说,这下知道为什么晶圆都是圆形的了吧?: e: F% C* T% `0 E1 j) ?% d
( ^9 {/ D( o, }2 ]# q1 G. { R' ?
; F0 {1 m( [* X& r; v, I( N0 F6 z. X1 s晶圆:切割出的晶圆经过抛光后变得几乎完美无瑕,表面甚至可以当镜子。事实上,Intel自己并不生产这种晶圆,而是从第三方半导体企业那里直接购买成品,然后利用自己的生产线进一步加工,比如现在主流的45nm HKMG(高K金属栅极)。值得一提的是,Intel公司创立之初使用的晶圆尺寸只有2英寸/50毫米。5 ?8 `$ K! \, _* q- n
* l% w0 f/ V( y" C7 t. M {' \* e+ g; s, f e1 P* R; p) u# y# `3 Y
! t2 L2 y8 w3 a, m
光刻胶(Photo Resist):图中蓝色部分就是在晶圆旋转过程中浇上去的光刻胶液体,类似制作传统胶片的那种。晶圆旋转可以让光刻胶铺的非常薄、非常平。/ a( F) D/ @" b) g8 d6 o4 o1 L4 y
/ b/ D* k5 f$ K2 s" z6 d9 F
2 O0 M5 l6 n9 m
光刻一:光刻胶层随后透过掩模(Mask)被曝光在紫外线(UV)之下,变得可溶,期间发生的化学反应类似按下机械相机快门那一刻胶片的变化。掩模上印着预先设计好的电路图案,紫外线透过它照在光刻胶层上,就会形成微处理器的每一层电路图案。一般来说,在晶圆上得到的电路图案是掩模上图案的四分之一。
. l* A8 F& b" }! i0 D/ a
+ E6 b/ z; k! H5 C1 W o* t! d! \
6 d g1 `. x7 C* I" X
光刻二:由此进入50-200纳米尺寸的晶体管级别。一块晶圆上可以切割出数百个处理器,不过从这里开始把视野缩小到其中一个上,展示如何制作晶体管等部件。晶体管相当于开关,控制着电流的方向。现在的晶体管已经如此之小,一个针头上就能放下大约3000万个。
# u5 k) o3 ]. _# ^4 v! h. G. j. |4 s, F
# ~; C2 ^+ i0 R% n$ b, }+ G) j$ C3 w; J* L) f" J3 y$ V( V( ^( f
" F9 a% h2 ~6 g d, m
溶解光刻胶:光刻过程中曝光在紫外线下的光刻胶被溶解掉,清除后留下的图案和掩模上的一致。
# Y9 o# @7 p3 g3 |) v9 U5 X. ~/ m
4 q9 v. f5 @8 j' {0 q1 Q$ i5 L7 R( F
6 }# G% e7 a; i5 s0 h4 z' q7 Z' s: H# n% s9 J- r: p' c1 e
蚀刻:使用化学物质溶解掉暴露出来的晶圆部分,而剩下的光刻胶保护着不应该蚀刻的部分。
- }8 l( Z/ S- }* z; O/ m) `- A* o
& v. y' e E4 k/ r+ d- z. V$ Q
; |' `; Z3 t l6 O- u* _. }
2 x. b1 r( c' X/ n) @' L5 ~$ e清除光刻胶:蚀刻完成后,光刻胶的使命宣告完成,全部清除后就可以看到设计好的电路图案。. x4 W# s& }% z1 Z
+ u* ~9 @% `2 n' L' c% F7 \8 w. f$ _2 l/ G2 |( P8 K1 D5 w* Y5 C
光刻胶:再次浇上光刻胶(蓝色部分),然后光刻,并洗掉曝光的部分,剩下的光刻胶还是用来保护不会离子注入的那部分材料。( \8 x# }; |% m, `* n/ D
% \( T8 O4 `8 ]1 W7 r- m, B( Y
! E/ i% M+ w& B1 D
( v' N4 y+ O$ a4 R% W c5 a离子注入(Ion Implantation):在真空系统中,用经过加速的、要掺杂的原子的离子照射(注入)固体材料,从而在被注入的区域形成特殊的注入层,并改变这些区域的硅的导电性。经过电场加速后,注入的离子流的速度可以超过30万千米每小时。
: b" y2 h# Q0 S$ s% D
0 |. o, ]; g6 G% m( [9 ~( n0 m( W
4 ?; c( Y3 U$ @% X# @- B5 S: ], u6 d5 R, c5 O2 \! b
清除光刻胶:离子注入完成后,光刻胶也被清除,而注入区域(绿色部分)也已掺杂,注入了不同的原子。注意这时候的绿色和之前已经有所不同。
# i1 y; ^6 D) `: [2 {7 O% q( ^* b
7 r# K4 K0 U U9 v; Q/ [, u( @8 ~) k
晶体管就绪:至此,晶体管已经基本完成。在绝缘材(品红色)上蚀刻出三个孔洞,并填充铜,以便和其它晶体管互连。 f& i: o3 G2 x1 e7 X
+ L, r7 t* v0 A* s2 \
. d& T3 @/ \! ^5 L2 ?
2 Y7 O+ d/ T5 l* }; ^电镀:在晶圆上电镀一层硫酸铜,将铜离子沉淀到晶体管上。铜离子会从正极(阳极)走向负极(阴极)。0 Q" i% } A% Y, P2 X6 u
9 w$ o' |6 k. r! ?3 @8 e I6 K( h' L; Y5 y( `* a
2 t& i6 w* e; o, ?9 ^
铜层:电镀完成后,铜离子沉积在晶圆表面,形成一个薄薄的铜层。" z$ X0 ` T, C) I2 P
& h! H1 `. t1 D9 E5 E) N" J: V
0 A: e4 w/ ~. }! d0 X4 C$ @3 E- M G% G2 h) y
抛光:将多余的铜抛光掉,也就是磨光晶圆表面。
! z3 O O( V; `! s1 P
: ^0 W; G1 R; D% ?( p
4 b. I3 k `! Q) k8 d
' ]6 X( }) P. n/ [. {金属层:晶体管级别,六个晶体管的组合,大约500纳米。在不同晶体管之间形成复合互连金属层,具体布局取决于相应处理器所需要的不同功能性。芯片表面看起来异常平滑,但事实上可能包含20多层复杂的电路,放大之后可以看到极其复杂的电路网络,形如未来派的多层高速公路系统。0 z1 ?$ B0 z U& p' B5 t
, e6 B9 Q3 C' g" u
: O' |& P: R& Y5 p
4 x; u- D+ M* z, |: \0 I- l; e% d, z晶圆测试:内核级别,大约10毫米/0.5英寸。图中是晶圆的局部,正在接受第一次功能性测试,使用参考电路图案和每一块芯片进行对比。
; h) g1 t( ~4 g0 m! I7 o; i
|